| GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟 |
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| 引用本文： | 胡贵华,俞涛.GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2010(9):1105-1114. |
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| 作者姓名： | 胡贵华 俞涛 |
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| 作者单位： | [1]华东理工大学化工过程先进控制和优化技术教育部重点实验室,上海200237 [2]上海大学,CIMS与机器人中心,上海200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60706014）、国家杰出青年科学基金（批准号：60625302）、国家自然科学基金面上项目基金（编号：2009CB320603）、国家高技术研究发展计划（编号：2009AA042159）和上海市重点学科建设项目基金（编号：B504）资助项目 |
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| 摘 要： | Ⅲ-V族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料,是一种非常有效的方法.通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合,提出了一个研究垂直MOCVD反应器的GaInP薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法.可视化结果不仅准确和直观的显示了MOCVD反应器里的气体热流场分布情况,而且展示了MOCVD反应器中的GaInP薄膜生长过程.因此,该模拟为我们优化GaInP的MOCVD生长提供了一个重要指导.
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 计算流体力学 动力学蒙特卡罗 虚拟现实 多尺度模拟 GaInP薄膜生长 |
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