GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟 |
| |
作者姓名: | 胡贵华 俞涛 |
| |
作者单位: | [1]华东理工大学化工过程先进控制和优化技术教育部重点实验室,上海200237 [2]上海大学,CIMS与机器人中心,上海200072 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:60706014)、国家杰出青年科学基金(批准号:60625302)、国家自然科学基金面上项目基金(编号:2009CB320603)、国家高技术研究发展计划(编号:2009AA042159)和上海市重点学科建设项目基金(编号:B504)资助项目 |
| |
摘 要: | Ⅲ-V族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料,是一种非常有效的方法.通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合,提出了一个研究垂直MOCVD反应器的GaInP薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法.可视化结果不仅准确和直观的显示了MOCVD反应器里的气体热流场分布情况,而且展示了MOCVD反应器中的GaInP薄膜生长过程.因此,该模拟为我们优化GaInP的MOCVD生长提供了一个重要指导.
|
关 键 词: | 金属有机化学气相沉积 计算流体力学 动力学蒙特卡罗 虚拟现实 多尺度模拟 GaInP薄膜生长 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|