| CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究 |
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| 引用本文： | 于东麒,陈希,张贺秋,胡礼中,乔双双,孙开通.CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2010(10):1230-1234. |
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| 作者姓名： | 于东麒 陈希 张贺秋 胡礼中 乔双双 孙开通 |
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| 作者单位： | [1]辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连116029 [2]大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：50532080）、辽宁省教育厅重点实验室资助项目（编号：20060131）和高等学校博士专项科研基金（编号：20070141038）资助项目 |
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| 摘 要： | 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
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| 关 键 词： | CdSxSe1-x 量子点 变温PL谱 |
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