磷掺杂金刚石薄膜的电子结构及空位对其的影响 |
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作者姓名: | 王广文 邵庆益 |
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作者单位: | 广东省高等学校量子信息技术重点实验室,华南师范大学物理与电信工程学院,广州510006 |
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基金项目: | 福建省自然科学基金资助项目(编号:A0220001) |
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摘 要: | 为了更好地理解磷掺杂金刚石薄膜的成键机理,和磷掺杂浓度对金刚石晶格完整性及电导率的影响,本文通过第一性原理的方法计算了不同磷掺杂浓度的金刚石晶格的电子结构和引进空位后的磷掺杂金刚石薄膜的态密度.计算的结果表明,一方面,磷原子只对它附近的几个原子内的成键有影响,电导率随着掺杂浓度的增加而增加.而另一方面,在总原子数为64的金刚石晶格中磷原子非最近邻位置增加一个空位后,我们发现不但可以改善磷掺杂金刚石薄膜的损伤,还可以有效地提高n型金刚石薄膜的电子电导率.
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关 键 词: | P掺杂 杂质能级 空位 金刚石晶格 |
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