| ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系 |
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| 引用本文： | 吴建青,钟燚,颜东亮. ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2007, 35(5): 100-103,108 |
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| 作者姓名： | 吴建青 钟燚 颜东亮 |
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| 作者单位： | 华南理工大学,材料科学与工程学院,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(05006564)，广东省科技攻关项目(2004B10301007) |
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| 摘 要： | 采用固相合成法制备了氧化铝掺杂的氧化锌半导体粉体,通过X-射线衍射分析,探讨了掺杂量、煅烧温度和保温时间对粉体导电性能的影响.实验发现:Al2O3的掺杂量高于0.5%(摩尔比)时,会生成ZnAl2O4尖晶石相,降低ZnO的电导率;在一定的温度和保温时间下,才能保证有足够的Al3 进入ZnO的晶格,从而获得电阻率比较低的ZnO半导体粉体;温度过高和保温时间过长都会导致Al2O3与ZnO反应生成尖晶石,减少Al3 对Zn2 的置换率,并对电子产生散射,从而导致ZnO半导体粉体的电阻率升高;当Al2O3掺杂量为ZnO的0.5%(摩尔比)时,在1300℃下保温3h所得到的ZnO粉体的电阻率为18kΩ.cm.
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| 关 键 词： | 氧化锌 半导体粉体 氧化铝 掺杂 电阻率 |
| 文章编号： | 1000-565X（2007）05-0100-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-14 |
Relationship Between Preparation Process and Resistivity of ZnO Semiconductor Powder |
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| Wu Jian-qing,Zhong Yi,Yan Dong-liang. Relationship Between Preparation Process and Resistivity of ZnO Semiconductor Powder[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2007, 35(5): 100-103,108 |
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| Authors: | Wu Jian-qing Zhong Yi Yan Dong-liang |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, South China Univ. of Tech, Guangzhou 510640, Guangdong, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | zinc oxide semiconductor powder alumina doping resistivity |
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