首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

基于半导体光放大器中增益饱和效应的doublet信号源研究
引用本文:黄世杰,李培丽.基于半导体光放大器中增益饱和效应的doublet信号源研究[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2013,33(1):44-50.
作者姓名:黄世杰  李培丽
作者单位:南京邮电大学光电工程学院,江苏南京,210023
基金项目:国家自然科学基金(61275067);江苏省高校自然科学研究(BK2012830)资助项目
摘    要:提出了一种基于半导体光放大器(SOA)中增益饱和效应产生doublet信号源的方案.在该方案中,高斯脉冲光信号沿传输方向从SOA的左侧输入,doublet信号从SOA的右侧输出,光带通滤波器用来滤除自发辐射噪声(ASE).此外,该方案只使用了一个光源和SOA,具有结构简单、易于控制,且不需要复杂的色散管理.利用Optisystem7.0软件进行了仿真研究,分析了消光比、脉冲宽度、输入信号功率、调制速率、光源波长等参数对产生的doublet信号的影响.结果表明该方案对输入信号波长不敏感,给出了相关参数的优化范围.

关 键 词:超宽带(UWB)  半导体光放大器(SOA)  增益饱和效应  doublet脉冲

Research of Doublet Signal Source Based on Gain Saturation Effect in a Semiconductor Optical Amplifier
HUANG Shi-jie , LI Pei-li.Research of Doublet Signal Source Based on Gain Saturation Effect in a Semiconductor Optical Amplifier[J].Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications,2013,33(1):44-50.
Authors:HUANG Shi-jie  LI Pei-li
Institution:College of Optoelectronic Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210023,China
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号