| 高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究 |
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| 引用本文： | 唐兆云,翟洪祥,周洋,艾明星,黄振莺.高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究[J].北京交通大学学报(自然科学版),2006,30(6):49-51,56. |
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| 作者姓名： | 唐兆云 翟洪祥 周洋 艾明星 黄振莺 |
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| 作者单位： | 北京交通大学,理学院,北京,100044;北京交通大学,机电学院,北京,100044 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 以Ti、Si和石墨粉为原料,以少量的Al为反应助剂,用反应热压(HP)工艺在1 450 ℃和25MPa下2 h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10 μm的Ti3SiC2多晶块体.其弯曲强度为407 MPa、室温电阻率为0.22×10-6 Ω·m、维氏硬度为3.97 GPa.与Barsoum和Ei-Raghy在1 600 ℃和40 MPa下烧结4 h获得的样品相比,本样品显示了较低的弯曲强度,基本相同的纯度、电阻率和硬度.
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| 关 键 词： | Ti3SiC2 热压烧结 弯曲强度 电阻率 硬度 |
| 文章编号： | 1673-0291（2006）06-0049-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-05 |
| 修稿时间： | 2005-09-05 |
In-Situ Hot-Pressing Synthesis and Characterization of Highly Pure Ti3SiC2 Bulk |
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| TANG Zhao-yun,ZHAI Hong-xiang,ZHOU Yang,AI Ming-xing,HUANG Zhen-ying.In-Situ Hot-Pressing Synthesis and Characterization of Highly Pure Ti3SiC2 Bulk[J].JOURNAL OF BEIJING JIAOTONG UNIVERSITY,2006,30(6):49-51,56. |
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| Authors: | TANG Zhao-yun ZHAI Hong-xiang ZHOU Yang AI Ming-xing HUANG Zhen-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ti3SiC2 HIP bending strength resistivity hardness |
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