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| 4H-SiC(000(3×3)重构的原子能态 | |
| 引用本文： | WANG Xiu’e,ZHANG Xiaoli.4H-SiC(000(3×3)重构的原子能态[J].北京交通大学学报(自然科学版),2008(6). |
| 作者姓名： | WANG Xiu’e ZHANG Xiaoli |
| 作者单位： | 北京工商大学数理系，北京交通大学理学院 |
| 摘 要： | 为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量. |
| 关 键 词： | 4H-SiC 重构 能态 LEED XPS 束缚能 能量漂移 |
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