Bi Ⅳ离子5d Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算 |
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引用本文: | 曹建建,周超,梁良,何世昆.Bi Ⅳ离子5d Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(6):1381-1385. |
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作者姓名: | 曹建建 周超 梁良 何世昆 |
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作者单位: | 西安建筑科技大学物理系,西安,710055 |
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基金项目: | 陕西省教育厅专项科研基金(08JK343);西安建筑科技大学基础研究基金(JC0724) |
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摘 要: | 根据最弱受约束电子势模型的理论,在考虑外能级干扰的情况下,计算了Bi Ⅳ离子的5d106s2→5d96s2np (n=6~20)和5d106s2→5d96s2nf (n=5~20)系列中的6个Rydberg态的系列能级,理论计算值与实验值吻合较好,并且预言了一些实验中尚未观测到的能级值.
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关 键 词: | 最弱受约束电子势模型 Bi Ⅳ 离子 量子数亏损 Rydberg态 能级 |
收稿时间: | 5/9/2010 12:00:00 AM |
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