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Bi Ⅳ离子5d Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算
引用本文:曹建建,周超,梁良,何世昆.Bi Ⅳ离子5d Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(6):1381-1385.
作者姓名:曹建建  周超  梁良  何世昆
作者单位:西安建筑科技大学物理系,西安,710055
基金项目:陕西省教育厅专项科研基金(08JK343);西安建筑科技大学基础研究基金(JC0724)
摘    要:根据最弱受约束电子势模型的理论,在考虑外能级干扰的情况下,计算了Bi Ⅳ离子的5d106s2→5d96s2np (n=6~20)和5d106s2→5d96s2nf (n=5~20)系列中的6个Rydberg态的系列能级,理论计算值与实验值吻合较好,并且预言了一些实验中尚未观测到的能级值.

关 键 词:最弱受约束电子势模型  Bi    离子  量子数亏损  Rydberg态  能级
收稿时间:5/9/2010 12:00:00 AM
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