| 常温低氮氩比下（002）择优取向氮化铝薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 孙化冬,彭冬香,张伟,张立东,刘望,汪渊.常温低氮氩比下（002）择优取向氮化铝薄膜的制备[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(6):1386-1390. |
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| 作者姓名： | 孙化冬 彭冬香 张伟 张立东 刘望 汪渊 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064
2. 河北武邑中学,武邑,053400 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50771069,50871083）；四川省科技支撑计划基金（2008FZ0002）；教育部新世纪人才基金（NCET-08-0380） |
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| 摘 要： | 常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出（002）单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80 W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5％时，氮化铝（002）晶体衍射峰最强，通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.
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| 关 键 词： | AlN薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 沉积速率 |
The preparation of (O02)-oriented aluminum nitride thin films under low nitrogen argon ratio at room temperature |
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| SUN Hua-Dong,PENG Dong-Xiang,ZHANG Wei,ZHANG Li-Dong,LIU Wang,WANG Yuan.The preparation of (O02)-oriented aluminum nitride thin films under low nitrogen argon ratio at room temperature[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2011,48(6):1386-1390. |
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| Authors: | SUN Hua-Dong PENG Dong-Xiang ZHANG Wei ZHANG Li-Dong LIU Wang WANG Yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN films RF reactive magnetron sputtering preferred orientation deposition rate |
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