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| 量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响 | |
| 引用本文： | 清华大学学报（自然科学版）. 量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响[J]. 清华大学学报(自然科学版), 1999, 39(Z1): 1 |
| 作者姓名： | 清华大学学报（自然科学版） |
| 作者单位： | ：马玉涛，刘理天，李志坚 清华大学 微电子研究所, 北京100084 |
| 摘 要： | |
| 修稿时间： | 1998-09-22 |
Quantum mechanical effectsondeep-submicron MOSFETsubthreshold characteristics |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |