| 1.3μmInGaAsP半导体激光器谱线展宽因子的研究 |
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| 引用本文： | 孟丽,何振林.1.3μmInGaAsP半导体激光器谱线展宽因子的研究[J].西南民族学院学报(自然科学版),2000,26(4):388-392. |
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| 作者姓名： | 孟丽 何振林 |
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| 作者单位： | 孟丽（成都中医药大学数理教研室，成都
610075）;何振林（成都中医药大学数理教研室，成都 610075） |
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| 摘 要： | 谱展宽因子是半导体激光器的重要参数之一，本文在分析了半导体激光器有区折射率和增益对载流子的依赖关系的基础上，给出了展宽因子α的定义式，实验测得１．３μmInGaAsP半导体激光的α因子的值约为３．９６。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 谱线展宽因子 1.3μmInGAAsP |
| 文章编号： | 1003-2843(2000)04-0388-05 |
| 修稿时间： | 2000年9月18日 |
A Study of Linewidth Enhancement Factor for 1.3μmInGaAsP Semiconductor Lasers |
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| MENG Li,HE Zhen-lin.A Study of Linewidth Enhancement Factor for 1.3μmInGaAsP Semiconductor Lasers[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),2000,26(4):388-392. |
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| Authors: | MENG Li HE Zhen-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor lasers linewidth enhancement factor |
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