| InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究 |
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| 引用本文： | 张冶金,王新强,陈维友,刘彩霞,汪爱军,杨树人,刘式墉.InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究[J].吉林大学学报(理学版),2001(1):57-60. |
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| 作者姓名： | 张冶金 王新强 陈维友 刘彩霞 汪爱军 杨树人 刘式墉 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 !(批准号 :6993 70 10 )，国防科技重点实验室基金! (批准号 :99js36.2 .1jw130 1)，吉林省青年基金! (批准号 :1999 |
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| 摘 要： | 用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释
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| 关 键 词： | 量子点 应变 能带 PL谱 |
| 文章编号： | 0529-0279(2001)01-0057-04 |
| 修稿时间： | 2000年8月3日 |
Analysis of Room Temperature PL Spectra of InAs/GaAs/InP and InAs/InP Self assembled QDs: A Five band Study |
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| ZHANG Ye-jin,WANG Xin-qiang,CHEN Wei-you,LIU Cai-xia,WANG Ai-jun,YANG Shu-ren,LIU Shi-yong.Analysis of Room Temperature PL Spectra of InAs/GaAs/InP and InAs/InP Self assembled QDs: A Five band Study[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,2001(1):57-60. |
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| Authors: | ZHANG Ye-jin WANG Xin-qiang CHEN Wei-you LIU Cai-xia WANG Ai-jun YANG Shu-ren LIU Shi-yong |
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| Abstract: | In this paper, the room temperature PL spectra of InAs self-assembled dots grown on GaAs/InP and InP substrates are presented. For analyzing different positions of the PL peaks, we ex amined the strain tensor in these quantum dots using a valence force field model and used a five-band k · p formalism to find the electronic spectra. We found that the GaAs tensile-stained layer affects the position of the room temperature PL peak. The redshift of the PL peak of InAs/GaAs/InP QDs com pared to that of InAs/InP QDs is explained theoretically. |
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| Keywords: | quantum dot strain energy band PL spectrum |
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