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| 一种互补式LVTSCR的CMOS芯片ESD保护方法 | |
| 作者姓名： | 申莎莎 |
| 作者单位： | 运城学院物理与电子工程系,山西 运城,044000 |
| 摘 要： | 为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构,给出了该结构横切面电路模型以及等效电路,分析了工作原理及可行性,并与现有的ESD保护结构进行对比分析,采用ISE-TCAD工具进行仿真实验.结果表明:该结构具有占用面积小,单位面积防护效率高的特性,可有效降低成本. |
| 关 键 词： | ESD保护 可控硅 CMOS集成电路 LVTSCR |
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