| 低阈值大功率半导体激光器的研制 |
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| 引用本文： | 李玉东,朱东海,刘式墉,苏士昌,张淑芝.低阈值大功率半导体激光器的研制[J].吉林大学学报(理学版),1990(1). |
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| 作者姓名： | 李玉东 朱东海 刘式墉 苏士昌 张淑芝 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系
(李玉东，朱东海，刘式墉，苏士昌)，吉林大学电子科学系(张淑芝) |
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| 摘 要： | 近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径,而降低阈值电流减
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| 关 键 词： | 沟道衬底 双脊衬底 三段腔激光器 |
The Manufacture of a Novel Semiconductor Laser with Lower Threshold Current and Higher Output Power |
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| Li Yudong,Zhu Donghai,Liu Shiyong,Shu Shichang and Zhang Shuzhi.The Manufacture of a Novel Semiconductor Laser with Lower Threshold Current and Higher Output Power[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1990(1). |
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| Authors: | Li Yudong Zhu Donghai Liu Shiyong Shu Shichang and Zhang Shuzhi |
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| Abstract: | The idea and experimental results of a novel large optical cavity structure semiconductor laser are presented in this paper. |
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| Keywords: | channeled substrate twin-ridge substrate three-segmented cavity laser |
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