| 纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应 |
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| 引用本文： | 吴晓薇,杨瑞芳,郭子政,阎祖威. 纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应[J]. 内蒙古师范大学学报(自然科学版), 2007, 36(5): 599-604,609 |
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| 作者姓名： | 吴晓薇 杨瑞芳 郭子政 阎祖威 |
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| 作者单位： | 内蒙古农业大学,理学院,内蒙古,呼和浩特,010018;内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,内蒙古,呼和浩特,010022 |
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| 摘 要： | 研究了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化（EESP）的压力效应，计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性。以及内建电场（IEF）的作用．结果表明：电子势垒高度随压力下降；电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升；EESP强度随压力缓慢上升；电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降．一般情况下，EESP对IEF的影响可忽略，但当掺杂浓度n足够大（n〉10^19／cm^3）时，EESP可屏蔽IEF．
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| 关 键 词： | 半导体 量子阱 内建电场 激发态极化 静压 |
| 文章编号： | 1001-8735（2007）05-0599-06 |
| 收稿时间： | 2006-11-20 |
| 修稿时间： | 2006-11-20 |
Pressure Effect on the Electronic Excited-state Polarization in Wurtzite GaN/GaAlN Quantum Wells |
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| WU Xiao-wei,YANG Rui-fang,GUO Zi-zheng,YAN Zu-wei. Pressure Effect on the Electronic Excited-state Polarization in Wurtzite GaN/GaAlN Quantum Wells[J]. Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition), 2007, 36(5): 599-604,609 |
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| Authors: | WU Xiao-wei YANG Rui-fang GUO Zi-zheng YAN Zu-wei |
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| Affiliation: | 1. College of Science, Inner Mongolia Agriculture University, Huhhot,010018 ; 2. College of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia Normal University, Huhhot,010022 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor quantum well the build-in internal electric field the excited-state polarization hydrostatic pressure |
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