| 阻变随机存储器RRAM专利技术综述 |
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| 引用本文： | 孙健,张伟兵,吴琼.阻变随机存储器RRAM专利技术综述[J].河南科技,2016(4):72-76. |
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| 作者姓名： | 孙健 张伟兵 吴琼 |
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| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 |
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| 摘 要： | 阻变存储器由于其具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点在存储器的发展当中占据着重要地位。本文从专利的角度出发,研究了阻变存储器领域的专利申请的基本情况和阻变存储器技术的发展脉络,为国内阻变存储器技术的研究和专利的申请与布局提供一定的借鉴。
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| 关 键 词： | 专利 阻变存储器 技术发展 |
Summary of RRAM on patented technology |
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| Authors: | Sun Jian;Zhang Weibing;Wu qiong |
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| Institution: | Sun Jian;Zhang Weibing;Wu qiong;Patent Examination Cooperation Henan Center Of The Patent Office,SIPO; |
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