摘 要: | 采用低功率射频磁控溅射方法分别在玻璃和Si衬底表面沉积不同厚度的MoS2薄膜,经硫化退火处理后,利用Raman光谱、AFM、UV-Vis光谱和45°镜面反射光谱,对MoS2薄膜结构及光谱性质进行表征。结果表明,两种衬底上沉积的MoS2薄膜经退火处理后均在670、615及400~500 nm处出现分别对应A、B、C激子的明显吸收峰和反射峰,表明所制MoS2薄膜已结晶。A、B、C激子峰均随着薄膜层数增加而红移,表明MoS2薄膜的能带结构随层数发生改变。另外,A、B激子峰位置不受光谱检测方式的影响,而45°镜面反射光谱中C激子峰则相对于UV-Vis光谱有一定红移,因此,可依据A、B特征激子峰的有无及峰位判定MoS2薄膜的结晶度及层数,其中45°镜面反射光谱可用于非透明材料衬底上MoS2薄膜厚度(或层数)的判定。
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