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| 宽能带隙电子器件 | |
| 作者姓名： | R．方 J．佐尔珀 胡海伦 |
| 作者单位： | [1]不详 [2]美国康涅狄格大学电气工程系博士生 |
| 摘 要： | 硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。 |
| 关 键 词： | 电子器件 能带隙 集成电路技术 数据存贮 硅集成电路 1991年 摩尔定律 驱动技术 电场控制 高速度 载流子 半导体 |
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