| β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算 |
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| 引用本文： | 谢长坤,徐彭寿,徐法强,潘海斌.β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算[J].科学通报,2002,47(5):336-341. |
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| 作者姓名： | 谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学,结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 感谢与韩聚广研究员进行的有益讨论 本工作为国家自然科学基金（批准号:50132040），中国科学技术大学“同步辐射应用及新概念”研究基地资助项目. |
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| 摘 要： | 用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构。计算出的β-SiC晶体结构参数。晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好，用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表达的原子与电子结构。结果表明，表面顶层原子发生键长收缩和旋转豫特性，表面阳离子Si向体内移动而阴离子C向表面外移动，这与Ⅲ-Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似，表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp^2杂化方式与其三配位C原子成键，C原子趋向于以锥型的p^3试民其三配位Si原子成键，另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变。
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| 关 键 词： | 碳化硅 FPLAPW方法 表面原子结构 表面电子结构 半导体 理论计算 |
| 收稿时间： | 2001-08-28 |
| 修稿时间： | 2001年8月28日 |
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