有小剩余间隙的充填电缆在高通量下的介质电导率效应 |
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引用本文: | T.A.Stringer
,C.A.Eklund
,纪群火.有小剩余间隙的充填电缆在高通量下的介质电导率效应[J].系统工程与电子技术,1983(5). |
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作者姓名: | T.A.Stringer C.A.Eklund 纪群火 |
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摘 要: | 引 言 系统设计人员认为,在高通量下,应采用加固的电缆,该电缆的编织屏蔽层和线介质之间的间隙(大到几个密耳)可用低原子序数介质充填。然而,实验表明,充填是不完善的,还留有相当于几微米的小间隙。这些剩余间隙,能够大大增强电缆的X射线响应。本文研究了这种有缺陷的充填电缆的高通量(1—20卡/厘米~2)共模X射线响应,同时说明引起介质电导率效应的原因。
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