基于提高MEMS器件光取出率的环形光子晶体结构设计 |
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引用本文: | 王旭,张浩,周勋. 基于提高MEMS器件光取出率的环形光子晶体结构设计[J]. 贵州科学, 2016, 0(5): 80-83. DOI: 10.3969/j.issn.1003-6563.2016.05.017 |
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作者姓名: | 王旭 张浩 周勋 |
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作者单位: | 贵州大学,贵州贵阳,550025 |
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摘 要: | 光子晶体在通信、激光以及光子集成等方面有着广泛的应用前景。然而,由于传统圆形光子晶体微腔是一种形成偏振的结构,不能高效兼顾TE和TM电磁波,使其应用受到了限制。微机电系统MEMS由于其微小尺寸的限制,较难提高涉及到光学器件的光取出率。因此我们将光子晶体和光学微机电系统器件相结合,运用FDTD的方法,设计了一种无偏振环形光子晶体的结构,能够兼顾TE和TM电磁波,提高器件光取出率。经过结构优化,当环形光子晶体的周期在a=560 nm、内半径r=249 nm、外半径R=271 nm以及厚度d=410 nm时,发现在波长1 310 nm处存在光子禁带。成功实现了光子晶体表面在低损通信信道的共振,从理论上扩展了光学MEMS器件的应用范围。
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关 键 词: | MEMS 环形光子晶体 FDTD 光子禁带 |
Design of an annular photonic crystal structure to enhance light extraction efficiency in MEMS devices |
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Abstract: | |
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