| 铜纳米颗粒对氧化铪/氧化锌双介质层阻变特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈 帅,周海芳,赖云锋.铜纳米颗粒对氧化铪/氧化锌双介质层阻变特性的影响[J].福州大学学报(自然科学版),2019,47(4):472-476. |
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| 作者姓名： | 陈 帅 周海芳 赖云锋 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院，福建 福州 350108,福州大学物理与信息工程学院，福建 福州 350108,福州大学物理与信息工程学院，福建 福州 350108 |
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| 摘 要： | 通过微电子加工工艺制备了具有Ti/HfOx:Cu NPs/ZnO/ITO结构的阻变存储器，研究铜纳米颗粒对器件阻变性能的影响. 研究表明，铜纳米颗粒不仅使器件操作电压减小、并且更加均一，而且增大了器件高低阻态的电阻值比（开关比），高、低阻态电阻值更加稳定，表现出优异的耐擦写特性. 纳米颗粒的引入还使低阻态的导电由普尔-法兰克发射机制主导转变为欧姆导电细丝主导. 进一步研究发现，纳米颗粒增强了局部电场，不仅保证了较小电压下可产生更多的氧空位，还限定了导电细丝的位置. 此外，铜纳米颗粒有利于降低器件操作电压并提高其均一性，有助于提高阻态电阻值的稳定性.
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| 关 键 词： | 阻变存储器 氧化铪基 纳米颗粒 开关比 均一性 |
Effect of Cu nanoparticles on resistive switching characteristics of HfOx/ZnO bilayer |
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| CHEN Shuai,ZHOU Haifang and LAI Yunfeng.Effect of Cu nanoparticles on resistive switching characteristics of HfOx/ZnO bilayer[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2019,47(4):472-476. |
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| Authors: | CHEN Shuai ZHOU Haifang and LAI Yunfeng |
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