| 以第一性原理研究单层二硫化钼压电特性 |
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| 引用本文： | 许 婧,罗 静,李明林. 以第一性原理研究单层二硫化钼压电特性[J]. 福州大学学报(自然科学版), 2019, 47(4): 477-481 |
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| 作者姓名： | 许 婧 罗 静 李明林 |
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| 作者单位： | 福州大学机械工程及自动化学院，福建 福州 350108,厦门钨业股份有限公司，福建 厦门 361000,福州大学机械工程及自动化学院，福建 福州 350108 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函第一性原理计算方法，分别采用LDA、PBE和PW91三种交换关联泛函，研究半导体性单层二硫化钼的压电特性. 针对三种交换关联泛函，研究获得二硫化钼晶格结构参数、基本电学特性、材料弹性常数和压电系数. 结果显示基于ＬＤＡ 泛函获得的带隙更接近于实验结果，而基于PBE和PW91泛函获得的晶格结构参数、杨氏模量和压电系数较为一致，且更接近于实验结果.
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| 关 键 词： | 单层二硫化钼；压电特性；第一性原理；交换关联泛函 |
First principle study of the single layer MoS2 piezoelectric properties |
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| XU Jing,LUO Jing and LI Minglin. First principle study of the single layer MoS2 piezoelectric properties[J]. Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition), 2019, 47(4): 477-481 |
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| Authors: | XU Jing LUO Jing LI Minglin |
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