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SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究
引用本文:郜小勇,卢景霄,李仲明,许颖,励旭东. SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究[J]. 郑州大学学报(理学版), 2001, 33(2): 39-41
作者姓名:郜小勇  卢景霄  李仲明  许颖  励旭东
作者单位:1. 郑州大学物理工程学院,
2. 北京市太阳能研究所,
摘    要:从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池.测试结果表明,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率.并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高.

关 键 词:颗粒带硅  热化学  气相沉积  多晶硅薄膜  太阳电池
文章编号:1001-8212(2001)02-0039-03
修稿时间:2000-12-10

Investigation of Thin Film Solar Cell on SSP Substrate
Abstract:
Keywords:
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