| 压痕诱发GaAs单晶中的位错组态 |
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| 引用本文： | 李井润,李志成,徐永波.压痕诱发GaAs单晶中的位错组态[J].中山大学学报(自然科学版),2004,43(2):43-45. |
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| 作者姓名： | 李井润 李志成 徐永波 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学中山学院,广东,中山,528403
2. 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁,沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究.结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构.这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成.它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关.
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| 关 键 词： | 压痕 位错 电子显微镜 |
| 文章编号： | 0529-6579(2004)02-0043-03 |
| 修稿时间： | 2003年7月16日 |
Indentation Induced Dislocations in GaAs Single Crystal |
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| LI Jing-run,LI Zhi-cheng,XU Yong-bo.Indentation Induced Dislocations in GaAs Single Crystal[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,2004,43(2):43-45. |
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| Authors: | LI Jing-run LI Zhi-cheng XU Yong-bo |
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| Institution: | LI Jing-run~1,LI Zhi-cheng~2,XU Yong-bo~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs |
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