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| AlGaAs中混晶无序与DX中心的性质 | |
| 作者姓名： | 康俊勇 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系(康俊勇)，厦门大学物理系(黄启圣) |
| 摘 要： | 一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.随Si、Sn和Te等施主杂质掺入,出现浅和深施主能级,其浓度N_S和N_D之比仅由混晶组分x决定,不随生长方法及生长条件变化,其浓度总和等于施主杂质浓度(见图1)。2.深能级的束缚能随组分,变化明显,x≈0.4束缚能最大。3.低温下对施主电子的光激发,产生持久光电导(PPC),且有很显著的组分依赖关 |
| 关 键 词： | 杂质 混晶无序效应 混晶半导体 |
| 收稿时间： | 1987-12-22 |
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