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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SI-GaAs衬底上适于单片集成的宽接触BH激光器
作者姓名:
胡礼中
沈澍桥
赵卫东
刘式墉
高鼎三
作者单位:
吉林大学电子科学系(胡礼中,沈澍桥,赵卫东,刘式墉),吉林大学电子科学系(高鼎三)
摘 要:
我们于新近在SI-GaAs衬底上采用二次外延技术制成了一种正装(两个电极从一面引出)在普通铜热沉上的室温(300K)连续工作宽接触BH激光器(图1、图2为这种器件的结
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