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| SI-GaAs衬底上适于单片集成的宽接触BH激光器 | |
| 引用本文： | 胡礼中,沈澍桥,赵卫东,刘式墉,高鼎三.SI-GaAs衬底上适于单片集成的宽接触BH激光器[J].吉林大学学报(理学版),1987(4). |
| 作者姓名： | 胡礼中 沈澍桥 赵卫东 刘式墉 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 (胡礼中，沈澍桥，赵卫东，刘式墉)，吉林大学电子科学系(高鼎三) |
| 摘 要： | 我们于新近在SI-GaAs衬底上采用二次外延技术制成了一种正装(两个电极从一面引出)在普通铜热沉上的室温(300K)连续工作宽接触BH激光器(图1、图2为这种器件的结 |
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