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| 閃鋅矿結构型的半导体 | |
| 引用本文： | 呂犹龍.閃鋅矿結构型的半导体[J].科学通报,1959,4(16):511-511. |
| 作者姓名： | 呂犹龍 |
| 作者单位： | 呂犹龍 |
| 摘 要： | 根据現有关于半导体,特別是閃鋅矿族半导体电学性能和物理性能的实驗材料,可以告訴我們这样一个概念:半导体是一种具有共价键(大多数半导体)和飽和原子价的物貭。对具閃鋅矿結构的半导体有意識的研究,首先是在苏联开始的。高留諾娃在从事由約飞院士建議的关于灰錫的研究中,发現在低溫条件下,白錫轉变为稳定的灰錫可借助于InSb或CdTe作为“引发剂”而实現。于是在1950年即使她們确信:按格里姆(H.G.Grimm)及索末菲(A.Sommerfeld)規則形成具閃鋅矿結构的化合物,不仅在結构上与Ⅳ6族相似,且在原子间的化学鍵型間 |
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