| PZT薄膜的制备及特性 |
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| 引用本文： | 任玉磊,谢东珠,忻云龙. PZT薄膜的制备及特性[J]. 上海师范大学学报(自然科学版), 2007, 36(5): 37-40 |
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| 作者姓名： | 任玉磊 谢东珠 忻云龙 |
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| 作者单位： | 上海师范大学,数理信息学院,上海,200234;上海师范大学,数理信息学院,上海,200234;上海师范大学,数理信息学院,上海,200234 |
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| 摘 要： | 用电子束蒸发法在n-Si（100）衬底上制备了Pb（Zr0．52Ti0．48）03（PZT）多晶薄膜，研究了薄膜的表面形貌、结晶特性、红外吸收特性随生长温度和退火温度的变化关系，发现较高的生长温度有利于（101）方向晶粒的择优生长，较高的退火温度能促进（101）方向的晶粒向（110）方向的晶粒转变，（110）择优方向的薄膜对长红外波段的吸收比（101）择优方向的薄膜明显增强．
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| 关 键 词： | PZT材料 表面形貌 择优生长 SEM X射线衍射 |
| 文章编号： | 1000-5137（2007）05-0037-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-10 |
The preparation and study on diagnostics of PZT thin films |
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| REN Yu-lei,XIE Dong-zhu,XIN Yun-long. The preparation and study on diagnostics of PZT thin films[J]. Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences), 2007, 36(5): 37-40 |
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| Authors: | REN Yu-lei XIE Dong-zhu XIN Yun-long |
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| Affiliation: | College of Mathematics and Sciences, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SEM |
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