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| HfO2,SiO2单层光学薄膜激光预处理机理研究 | |
| 引用本文： | 周业为,谢建.HfO2,SiO2单层光学薄膜激光预处理机理研究[J].四川大学学报(自然科学版),1999,36(6):1144-1146. |
| 作者姓名： | 周业为 谢建 |
| 作者单位： | 四川大学光电系!成都610064 |
| 基金项目： | 中国工程物理研究院科学技术基金 |
| 摘 要： | ＳｉＯ2单层光学薄膜,经低于其破坏阈值的脉冲Ｎｄ3 ∶ＹＡＧ激光预处理后,薄膜的抗激光损伤阈值可达到未处理前的两倍或两倍以上1,2],而对于ＨｆＯ2单层光学薄膜脉冲Ｎｄ3 ∶ＹＡＧ激光预处理的效果却比ＳｉＯ2薄膜有显著差异(图1所示).对于光学薄膜,激光预处理提高抗激光损伤阈值的机理已有大量研究1,3,4,6,7],但是,还没有一个共同认可的结论.我们对这一问题也进行了理论和实验探索,得到了一些初步的结果,现报道于下.图1 单层ＨｆＯ2,ＳｉＯ2光学薄膜激光已处理和未处理效果比较1 激光破坏光学薄膜的物理过程 要弄清楚激光预处理提… |
| 关 键 词： | 光学薄膜 激光预处理 二氧化硅 抗激光损伤阈值 |
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