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1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究
作者姓名:郝素君
作者单位:“区域光纤通信网与新型光通信系统”国家重点实验室,上海交通大学光纤技术研究所
摘    要:测量了1.3μmInGaAsP半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移,对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析,得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。

关 键 词:半导体激光器 自发发射光谱 晶格温升 InGaAsP
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