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| 用导纳谱研究锗量子点的能级结构 | |
| 引用本文： | 张胜坤,朱海军.用导纳谱研究锗量子点的能级结构[J].自然科学进展,1998,8(4):496-501. |
| 作者姓名： | 张胜坤 朱海军 |
| 摘 要： | 提出变偏压的导纳蚵用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用，对Ｇｅ／Ｓｉ量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试，探测到了５个空穴的填充过程，其中２个填入类ｓ态的基态，束缚能约４３２ｍｅＶ，３个填入类ｐ态的第一激发态，束缚能约３３８ｍｅＶＧｅ量子点获１个空位所需要克服的库仑势能约为３０ｍｅＶ |
| 关 键 词： | 量子点 导纳谱 锗 能级结构 |
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