GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜 |
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作者姓名: | 曹先安 胡海天 |
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摘 要: | 用加热分解α-G2S3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
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关 键 词: | 气相淀积 准单晶 砷化镓 钝化膜 硫化镓 |
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