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| 高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器 | |
| 引用本文： | 陆海,陈敦军,张荣,郑有炓.高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器[J].南京大学学报(自然科学版),2014(3). |
| 作者姓名： | 陆海 陈敦军 张荣 郑有炓 |
| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60936004,60825401);国家973计划(2010CB327500) |
| 摘 要： | 以碳化硅(SiC)和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作于紫外波段的光探测器件具有显著的材料性能优势.宽禁带半导体紫外探测器的主要应用包括:国防预警、环境监测、化工和生化反应的光谱分析和过程检测、以及天文研究等.本文主要回顾近年来南京大学在此方面开展的一些代表工作,所涉及到的典型器件有:具有极低暗电流的AlGaN基日盲MSM紫外探测器、高量子效率AlGaN基日盲雪崩光电探测器、以及SiC基可见光盲紫外单光子探测器. |
| 关 键 词： | 宽禁带 Ⅲ族氮化物 碳化硅 紫外探测器 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |