| GaN纳米柱的量子效率研究 |
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| 引用本文： | 李扬扬,陈鹏,蒋府龙,杨国锋,刘斌,谢自立,修向前,韩平,赵红,华雪梅,施毅,张荣,郑有炓.GaN纳米柱的量子效率研究[J].南京大学学报(自然科学版),2014(3). |
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| 作者姓名： | 李扬扬 陈鹏 蒋府龙 杨国锋 刘斌 谢自立 修向前 韩平 赵红 华雪梅 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院;江苏省光电功能材料重点实验室;南京大学扬州光电研究院; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(61176063,60990311,60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019,BK2010385,BK2009255,BK2010178) |
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| 摘 要： | 主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.
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| 关 键 词： | GaN纳米柱 光致发光(PL) 量子效率 |
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