| 基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响 |
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| 引用本文： | 钟国仿,申发振,唐伟忠,吕反修. 基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响[J]. 北京科技大学学报, 1999, 21(4): 353-356 |
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| 作者姓名： | 钟国仿 申发振 唐伟忠 吕反修 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究直流电弧等离子体喷射比化学气相沉积金刚石系统中，基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响。实验发现，金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而境调增加。
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| 关 键 词： | 金刚石 薄膜 基片温度 生长速率 |
Effects of Substrate Temperature on Diamond Films Prepared by DC Arc Plasma Jet CVD Method |
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| Zhong Guofang,Shen Fazheng,Tang Weizhong,Lu Fanxiu. Effects of Substrate Temperature on Diamond Films Prepared by DC Arc Plasma Jet CVD Method[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 1999, 21(4): 353-356 |
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| Authors: | Zhong Guofang Shen Fazheng Tang Weizhong Lu Fanxiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond film substrate temperature growth rate |
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