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| a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质 | |
| 作者姓名： | 刘宁宁 孙甲明 潘少华 陈正豪 王荣平 师文生 王晓光 陈凡 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所光物理实验室,北京100080 |
| 摘 要： | 用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格。利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究。结果表明，随纳米Ｓｉ层厚度的减小，Ｒａｍａｎ峰发生展宽，吸收边以及光荧光峰发生蓝移。用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质。这一结果较多孔硅的相应值大两个量级。还对影响非线 |
| 关 键 词： | 光谱研究 a－硅／二氧化硅超晶格 非线性光学性质 |
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