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| 纳米InP镶嵌复合薄膜的制备和光学性质 | |
| 作者姓名： | 郑茂俊 张立德 李广海 姜治 |
| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所,合肥230031 |
| 基金项目： | 国家攀登计划资助项目!(批准号: 纳米材料科学(95A-07)) |
| 摘 要： | 用射频磁控共溅方法制备了ＩｎＰ－ＳｉＯ２纳米颗粒镶嵌复合薄膜，分析了它的结构和形成规律Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱结果表明，ＩｎＰ纳米颗粒呈多晶结构，颗粒平均尺寸为３－１０ｎｍ，观察到了ＩｎＰ纳米颗粒Ｒａｍａｎ峰的红移和宽化现象，可用声子限域模型给予解释，光学透射谱表明，该复合膜的光学吸收边在整个可见光范围可调制，用量子限域效应解释了光学吸收带边的显著蓝移现象对于该体系，由有效质量近似模型得到的理论值 |
| 关 键 词： | 纳米镶嵌复合薄膜 磁控溅射 光学性质 |
| 收稿时间： | 2000-04-14 |
| 修稿时间： | 2000-07-10 |
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