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化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜
引用本文:刘明辉,张丽莎,贾志勇,唐一文,余颖.化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜[J].华中师范大学学报(自然科学版),2006,40(1):75-78.
作者姓名:刘明辉  张丽莎  贾志勇  唐一文  余颖
作者单位:1. 襄樊职业技术学院主校区,湖北,襄樊,441050
2. 华中师范大学,纳米科技研究院,武汉,430079
摘    要:用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60~70C,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加.制备的薄膜纯度较高.表面较平整和致密,Cu2O粒径为14~22nm,其禁带宽度为2.01eV.

关 键 词:纳米氧化亚铜  化学浴沉积法  改进  薄膜
文章编号:1000-1190(2006)01-0075-04
收稿时间:2005-03-25
修稿时间:2005-03-25

Preparation of nano-Cu2O thin films using modified chemical bath deposition method
LIU Ming-hui,ZHANG Li-sha,JIA Zhi-yong,TANG Yi-wen,YU Ying.Preparation of nano-Cu2O thin films using modified chemical bath deposition method[J].Journal of Central China Normal University(Natural Sciences),2006,40(1):75-78.
Authors:LIU Ming-hui  ZHANG Li-sha  JIA Zhi-yong  TANG Yi-wen  YU Ying
Institution:1. Xiangfan Vocational and Technical College, Xiangfan, Hubei 441050; 2. Institute of Nanoseienee and Technology, Central China Normal University, Wuhan 430079
Abstract:
Keywords:nano-Cu2O  chemical bath deposition methods modified  thin film
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