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| 锡掺杂氧化铟纳米线的制备及场发射性能研究 | |
| 作者单位： | ;1.汕头大学理学院 |
| 摘 要： | 由于晶格失配,使得直接在硅衬底上生长有序的锡掺杂的氧化铟(ITO)一维纳米阵列非常困难.本文使用化学气相沉积法,利用升温过程中形成的ITO颗粒为生长点,成功地在硅衬底上制备出排列有序的氧化铟锡(ITO)一维纳米结构.对生成物进行了扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱(EDS)和X射线衍射(XRD)表征;对其进行的场发射性能测试表明,ITO纳米线阵列的场增强因子大约为1 600,有望在冷阴极材料领域得到应用. |
| 关 键 词： | 锡掺杂氧化铟 纳米结构 化学气相沉积 场发射性能 |
Study of Tin-Doped Indium Oxide Nanowires Array on Synthesis and Field Emission Property |
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