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| 阻变存储器无源高密度交叉阵列研究进展 | |
| 作者姓名： | 李晓燕 李颖弢 高晓平 陈传兵 韩根亮 |
| 作者单位： | 甘肃省传感器与传感技术重点实验室;兰州大学物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 阻变存储器(resistive random access memory, RRAM)以其结构简单、操作速度快、可缩小性好、易三维(3D)集成、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一,但基于阻变存储器无源交叉阵列中的交叉串扰问题影响了其实现高密度存储的应用和发展.本文简单介绍了阻变存储器交叉阵列中的串扰现象,详细综述了避免无源交叉阵列串扰的1D1R(one diode one resistor)结构、1S1R(one selector one resistor)结构、背靠背(back to back)结构及具有自整流效应的1R(one resistor)结构.同时,对基于阻变存储器无源交叉阵列实现高密度存储的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |