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杂志ISSN号
常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系
作者姓名:
邢旭
作者单位:
东北师范大学物理系 长春(邢旭),吉林省实验中学 长春(杨春芳)
摘 要:
半导体反常电磁特性的研究,已有30多年的历史。但由于对其机理的探讨,目前分岐很大,所以至今这方面的实验研究和理论研究都还正在发展中。 目前,已发现的半导体反常电磁特性,均出现在低温和超低温区。因此,相应的许多理论也都以低温和超低温为前提条件。
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