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含铂准一维卤素桥接混合价络合物(HMPC’S)中的电子——晶格耦合
引用本文:彭景翠,胡慧芳.含铂准一维卤素桥接混合价络合物(HMPC’S)中的电子——晶格耦合[J].湖南科技大学学报(自然科学版),1993(4).
作者姓名:彭景翠  胡慧芳
作者单位:湖南大学应用物理系,湘潭矿业学院基础科学部 长沙 410082
摘    要:本文详细研究了含铂准一维卤素桥接混合价络舍物(HMPCS)中电子——晶格(e—p)耦合的对角部分和非对角部分对极化子结合能的影响,证实了在这类物质中,e—p耦合的对角部分是主要的,与实验事实符合。图2,参10。

关 键 词:混合价络合物  电子——晶格耦合  极化子结合能  孤子  极化子  双极化子  激子  本征缺陷态

THE ELECTRON-PHONON COUPLING IN HALOGEN BRIDGED MIXED-VALENCE PLATINUM COMPLEXES (HMPC'S)
Peng Jingcui.THE ELECTRON-PHONON COUPLING IN HALOGEN BRIDGED MIXED-VALENCE PLATINUM COMPLEXES (HMPC''''S)[J].Journal of Hunan University of Science & Technology(Natural Science Editon),1993(4).
Authors:Peng Jingcui
Abstract:The effect of the site-diagonal and site-off-diagonal oarts of electron-phonon coupling on polaron binding energy in quasi-one-dimensional halogen bridged mixedvalence platinum complexes is investigated detail in this paper. It is confirm that the site-diagonal part of electron-phonon coupling is main in this kind of materials and agreeable to experience. 2figs., 10refs.
Keywords:mixed-valence complex  electron-lattice coupling  polaronic binding energy  soliton  polaron  bipolaron  exciton  intrisicn defect
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