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低掺磷YPxV1-xO4单晶的生长与性能
引用本文:赵斌,庄乃锋,王永好,陈建中.低掺磷YPxV1-xO4单晶的生长与性能[J].福州大学学报(自然科学版),2005,33(3):374-378.
作者姓名:赵斌  庄乃锋  王永好  陈建中
作者单位:福州大学化学化工学院,福建,福州,350002
摘    要:用提拉法生长了四方锆石型YPxV1-xO4(x≤0.15)晶体.对晶体中P元素浓度的测定结果表明,YPxV1-xO4单晶可以按化学计量比生长.测定了晶体的晶胞参数、折射率和激光损伤阈值.晶体在400~3000nm波长范围的透过率达到80%且无吸收峰,而且,晶体几乎不发出荧光.综合各项测试结果可以推论:YPxV1-xO4晶体适于作为稀土离子的激光基质晶体.

关 键 词:Czochraski法  YPxV1-xO4晶体  折射率  透过率  晶胞参数  激光损伤阈值
文章编号:1000-2243(2005)03-0374-05
修稿时间:2004年12月23

Growth and characterization of low P dopant concentrations YPxV1-Xo4 single crystal
ZHAO Bin,ZHUANG Nai-feng,WANG Yong-hao,CHEN Jian-zhong.Growth and characterization of low P dopant concentrations YPxV1-Xo4 single crystal[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2005,33(3):374-378.
Authors:ZHAO Bin  ZHUANG Nai-feng  WANG Yong-hao  CHEN Jian-zhong
Institution:(College of Chemistry and Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350002, China)
Abstract:
Keywords:Czochraski method  YP_xV_(1-x)O_4 single crystal  refractive index  transparence  lattice parameters  optical damage threshold
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