|
|||||
|
|
| GaAs等离子体阳极氧化研究 | |
| 作者姓名： | 陈志豪 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，上海科技大学，中国科学院上海冶金研究所 78届学生 |
| 摘 要： | GaAs的电子迁移率比si高五倍多,因此GaAs MISFET器件的工作速度更快,使用频率更高。制备高效MISFET,必须在GaAs上形成良好的绝缘介质膜。至今,用热氧化、热分解淀积SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3和SiO_xN_y,以及水溶液或非水溶液阳极氧化等方法得到的结果都不 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载全文 | |