| 1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究 |
| |
| 引用本文： | 郑勇,肖鹏飞,易天成,王荣. 1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2015, 0(6): 568-570. DOI: 10.16360/j.cnki.jbnuns.2015.06.005 |
| |
| 作者姓名： | 郑勇 肖鹏飞 易天成 王荣 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,100875,北京;北京师范大学核科学与技术学院,100875,北京;2. 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,100875,北京;北京师范大学核科学与技术学院,100875,北京;北京市辐射中心,100875,北京 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10675023;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011) |
| |
| 摘 要： | 对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).
|
| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 电子辐照 光致发光 非辐射复合中心 |
Temperature dependent photoluminescence of the GaAs/Ge space solar cell after irradiation by 1 MeV electrons |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaAs/Ge solar cell electron irradiation photoluminescence non-radiative recombination center |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
