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GemSin(m=1,2;n=1~7)团簇结构与性质的密度泛函理论研究
作者姓名:刘霞  王献伟  赵高峰  郭令举  罗有华
作者单位:河南大学,物理与电子学院理论物理研究所,河南,开封,475004;河南大学,物理与电子学院理论物理研究所,河南,开封,475004;河南大学,物理与电子学院理论物理研究所,河南,开封,475004;河南大学,物理与电子学院理论物理研究所,河南,开封,475004;河南大学,物理与电子学院理论物理研究所,河南,开封,475004
摘    要:采用密度泛函理论(DFT)对GemSin(m=1, 2;n=1~7)团簇的结构及稳定性进行了研究. 在B3LYP/6-311G水平上进行了结构优化和频率分析,得到了各团簇的最低能量结构. 对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究. 结果表明:GemSin团簇的稳定结构与Sis(s=m n)团簇的结构相似,相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似,这为找到大尺寸的GemSin团簇稳定结构提供了一条有效途径. 电荷主要是从Ge原子转移到Si原子. 在所研究的团簇中,GeSi3, GeSi6, Ge2Si2, Ge2Si5的结构较稳定.

关 键 词:GemSin(m=1  2  n=1~7)团簇  密度泛函理论(DFT)  结构与性质
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