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用量子力学方法计算半导体硅中某些深能级
作者姓名:马稚尧 欧海燕
作者单位:固体电子学系
摘    要:采用了复合体模型,对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算,给出了相应的哈密顿算符,利用区域变分法计算,计算结果与实验测量数据符合较好。

关 键 词:半导体 深能级 硅 量子力学 杂质 缺陷
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