首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构
作者姓名:
刘三清 曹广军
作者单位:
固体电子学系
摘 要:
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p^+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散口有成NMOS器件的栅区及多晶性互连线。
关 键 词:
功率集成电路 对接沟道 VDMOS结构 NMOS结构
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号